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二极管关断过程?二极管关断过程中的过冲峰值电压大小主要取决于( )

  二极管的开关过程可分为四部分:

  A.T1导通时二极管阻断;

  B.阻断到导通时间;开通;

  C.T1关断,二极管导通;

  D.导通到关断瞬间;关断。

  MOFET导通时,二极管两端的反压是Vin。与所有的半导体一样,二极管的阳极到阴极有一个小电流(耐电流IR),漏电流由阻断电压,二极管芯片工作温度和二极管制作技术决定。反向电压导致的总功率损耗是:

  PSP=VIN·IR

  B. 开通

  三极管T1关断瞬间,电感电流iL保持不变。二极管两端电压逐渐减小,电流逐渐上升。D1的电流上升时间等于T1的电流下降时间。关断时在pn结存储的大量电荷被载流子带走,使得电流上升时pn结的电阻减小,二极管开通时有电压尖峰,由芯片温度、-diF/dt和芯片工艺决定。

  

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